数据列表 | IXEN60N120(D1) |
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标准包装 | 10 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 模块 |
系列 | - |
IGBT 类型 | NPT |
配置 | 单一 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,60A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100A |
电流 - 集电极截止(最大值) | 800µA |
不同?Vce 时的输入电容 (Cies) | 3.8nF @ 25V |
功率 - 最大值 | 445W |
输入 | 标准 |
NTC 热敏电阻 | 无 |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |