| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| ISL9N302AS3ST [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS: Compliant | 搜索 |
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| ISL9N302AS3ST [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| ISL9N302AS3ST [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB
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| ISL9N302AS3ST | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | ISL9N302AS3ST Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK  | 查价格库存 查看详细 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 75A（Tc） 345W（Tc） D2PAK（TO-263AB） 型号：ISL9N302AS3ST 仓库库存编号：ISL9N302AS3ST-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | ISL9N302AS3ST |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | UltraFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 2.3 毫欧 @ 75A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 300nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 11000pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 345W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
