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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32M x 16 1.8V 84-Pin TWBGA - Bulk (Alt: IS43DR16320C-25DBL)

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IS43DR16320C-25DBL ISSI 动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2 查看库存、价格及货期
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-25DBL-TR - IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16320C-25DBL-TR
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IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA

详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16320C-25DBL
仓库库存编号:IS43DR16320C-25DBL-ND

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR16320C-25DBLI-TR - IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
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详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16320C-25DBLI-TR
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详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-TWBGA(8x12.5)

型号:IS43DR16320C-25DBLI
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动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
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动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
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INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)
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ISSI
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IS43DR16320C-25DBL
制造商型号: IS43DR16320C-25DBL
制造商: ISSI
描述: 动态随机存取存储器 512Mb, 1.8V, 400MHz 32M x 16 DDR2
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
制造商:ISSI
RoHS: 符合
组织:32 M x 16
封装 / 箱体:BGA-84
存储容量:512 MB
最大时钟频率:400 MHz
访问时间:12.5 ns
电源电压-最大:1.9 V
电源电压-最小:1.7 V
最大工作温度:+ 85 C
封装:Tray
最小工作温度:0 C
安装风格:SMD/SMT

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