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| IRLS4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRLS4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRLS4030PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLS4030PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 370 W
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| IRLS4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 100V, 180A, 370W
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| IRLS4030PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，180A，HEXFET，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLS4030PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，100V，180A，HEXFET，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号： IRLS4030PBF 品牌： Infineon 库存编号： 688-7260 | 搜索 |
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 | IR MOSFET N, 100 V 180 A 370 W D2PAK, IRLS4030PBF, IR 型号：IRLS4030PBF 仓库库存编号：171-02-397 | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLS4030PBF | 1698314 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.0034 ohm, 4.5 V, 2.5 V (EN) | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 110 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 74 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 87 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 11360 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 370000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 180 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
