IRLR3915PB,IRLR3915PB|International Rectifier-IRLR3915PB原装现货,PDF下载
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IRLR3915PBF
库存编号:IRLR3915PBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 55V 30A DPAK0
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IRLR3915PBF International Rectifier POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 30A I(D), 55V, 0.014OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA119
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IRLR3915PBF
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MOSFET N-CH 55V 30A DPAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRLR3915PBF
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MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 61nC

RoHS: Compliant

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IRLR3915PBF
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MOSFET, N, 55V, 61A, D-PAK

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International Rectifier		MOSFET，N沟道，55V，61A，DPAK
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IRLR3915PBF|International RectifierIRLR3915PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
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无图IRLR3915PB
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IRLR3915PBF|International RectifierIRLR3915PBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLR3915PBF - Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3915PBF, 61 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
IRLR3915PBF
品牌：
Infineon
库存编号：
543-1550
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRLR3915PBF
INFINEON IRLR3915PBF		8660204

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 55 V, 14 mohm, 10 V, 3 V

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无图
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRLR3915PB
制造商型号： IRLR3915PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，55V，61A，DPAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间83 ns
典型接通延迟时间7.4 ns
典型栅极电荷@Vgs61 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds1870 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度6.22mm
封装类型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散120 W
最大栅源电压±16 V
最大漏源电压55 V
最大漏源电阻值0.014 Ω
最大连续漏极电流61 A
最高工作温度+175 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置单
长度6.73mm
高度2.39mm

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