IRLML2246TRPB,IRLML2246TRPB|International Rectifier-IRLML2246TRPB原装现货,PDF下载
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MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

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MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23

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MOSFET MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: IRLML2246TRPBF)

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MOSFET,P CH,W DIODE,20V,2.6A,SOT23

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Single P-Channel 20 V 236 mOhm 2.9 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-23

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IRLML2246TRPBF
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IRLML2246TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-23 Polarity: P Power dissipation: 1.3 W

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, logic level, -20V, -2.6A, 1.3W

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International Rectifier		MOSFET，P沟道，20V，2.6A，HEXFET，SOT23
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Infineon Technologies - IRLML2246TRPBF - MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23

型号：IRLML2246TRPBF
仓库库存编号：IRLML2246TRPBFCT-ND
别名：IRLML2246TRPBFCT <br>

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IRLML2246TRPBF
INFINEON IRLML2246TRPBF		1888166

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

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INTERNATIONAL RECTIFIER IRLML2246TRPBF		2394589

INTERNATIONAL RECTIFIER

功率场效应管, MOSFET, P沟道, HEXFET, -20V, -2.6A, SOT-23

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IRLML2246TRPBF
INFINEON IRLML2246TRPBF		1888166RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -2.6 A, -20 V, 0.09 ohm, -4.5 V, -1.1 V

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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

IR - IRLML2246TRPBF - MOSFET P, -20 V -2.6 A 1.3 W SOT-23, IRLML2246TRPBF, IR		IR
MOSFET P, -20 V -2.6 A 1.3 W SOT-23, IRLML2246TRPBF, IR

型号：IRLML2246TRPBF
仓库库存编号：171-01-281

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRLML2246TRPBF - Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML2246TRPBF, 2.6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
IRLML2246TRPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
760-4432
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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRLML2246TRPB
制造商型号： IRLML2246TRPB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，P沟道，20V，2.6A，HEXFET，SOT23
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间26 ns
典型接通延迟时间5.3 ns
典型栅极电荷@Vgs2.9 nC V @ -4.5
典型输入电容值@Vds220 pF V @ -16
安装类型表面贴装
宽度1.4mm
封装类型Micro3，SOT-23
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散1.3 W
最大栅源电压±12 V
最大漏源电压-20 V
最大漏源电阻值236 mΩ
最大连续漏极电流-2.6 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型P
长度3.04mm
高度1.02mm

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