| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRLIB4343PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 55V, 19A, 50 MOHM, 28 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-220 FULLPACK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLIB4343 | International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLIB4343 International Rectifier | MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLIB4343PB International Rectifier | MOSFET N沟道 55V 19A TO220FP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLIB4343PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N TO-220 ISO. | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLIB4343PBF | 9933859 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 55 V, 0.042 ohm, 10 V, 1 V (EN) | 搜索 |
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP 详细描述：通孔 N 沟道 55V 19A（Tc） 39W（Tc） TO-220AB 整包 型号：IRLIB4343 仓库库存编号：IRLIB4343-ND 别名：*IRLIB4343 <br> | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IRLIB4343 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220AB |
| 设计资源 | IRLIB4343 Saber Model IRLIB4343 Spice Model |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 39W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB 整包 |
| 其它名称 | *IRLIB4343 |
