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| IRLHS6376TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRLHS6376TR2PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Dual N-Channel 30 V 63 mOhm 2.8 nC HEXFET? Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRLHS6376TR2PB | International Rectifier | MOSFET，双，N沟道，30V，3.6A，PQFN6EP | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRLHS6376TR2PB International Rectifier | MOSFET，双，N沟道，30V，3.6A，PQFN6EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRLHS6376TR2PBF International Rectifier | MOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRLHS6376TR2PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 3.4A DUAL PQFN | 查价格库存 查看详细 |
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| IRLHS6376TR2PB International Rectifier | MOSFET，双，N沟道，30V，3.6A，PQFN6EP 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| IRLHS6376TR2PBF International Rectifier | MOSFET MOSFT DUAL N-Ch 30V 63mOhm 2.5V cpbl | 查价格库存 查看详细 |
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 | Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN 详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.6A 1.5W Surface Mount 6-PQFN (2x2) 型号：IRLHS6376TR2PBF 仓库库存编号：IRLHS6376TR2PBFCT-ND 别名：IRLHS6376TR2PBFCT <br> | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 11 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 4.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 2.8 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 270 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.1mm | |
| 封装类型 | PQFN | |
| 尺寸 | 2.1 x 2.1 x 0.95mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 82 mΩ | |
| 最大连续漏极电流 | 3.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 2.1mm | |
| 高度 | 0.95mm |
