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| IRL3215PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 150V, 12A, 166 MOHM, 20.7 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRL3215PBF [更多] | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 12A I(D), 150V, 0.184OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB
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| IRL3215PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，150V，12A，TO220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRL3215PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 TO-220  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRL3215PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，150V，12A，TO220AB 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRL3215PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 12A TO-220AB | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 38 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.4 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 775 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 80 W | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.166 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 12 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 高度 | 8.77mm |
