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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRFS4321PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 150 V 15 mOhm 71 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 150V, 83A, 15 MOHM, 71 NC QG, D2-PAK, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFS4321PBF [更多] | International Rectifier |
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| IRFS4321PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 150V, 83A, 330W, D2PAK, HEXFET?
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRFS4321PBF [更多] | International Rectifier | 75 A, 150 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRFS4321PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，150V，83A，HEXFET，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRFS4321PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，150V，83A，HEXFET，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRFS4321PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFS4321PBF | 1436980 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.012 ohm, 10 V, 5 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRFS4321PBF 品牌： Infineon 库存编号： 495-877 | 搜索 |
| 参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
 | IR MOSFET N, 150 V 59 A 330 W D2PAK, IRFS4321PBF, IR 型号：IRFS4321PBF 仓库库存编号：171-39-082 | | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 18 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 4460 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 330000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 150 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.015 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 83 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
