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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 56nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRFS3607PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, D2-PAK
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 75 V 9 mOhm 56 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 75V, RDS(ON) 7.34 Milliohms, ID 80A, D2Pak, PD 140W, VGS +/-2 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFS3607PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 75V, 80A, 140W, D2PAK, HEXFET?
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| IRFS3607PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，75V，80A，HEXFET，D2PAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRFS3607PBF | 1602232 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.00734 ohm, 20 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
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 | IRFS3607PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，75V，80A，HEXFET，D2PAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 43 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 16 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 56 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 3070 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 9.65mm | |
| 封装类型 | D2PAK | |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 140000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 75 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.009 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 80 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 4.83mm |
