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| IRFS3306PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRFS3306PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 60 V 4.2 mOhm 85 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| IRFS3306PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N Ch., 60V, 160A, 4.2 MOHM, 85 NC QG, D2-PAK, Pb-Free RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRFS3306PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 60V, 160A, 230W, D2PAK, HEXFET?
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| IRFS3306PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，160A，HEXFET，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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IRFS3306PBF | 1436975 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 4 V  (EN) | 搜索 |
IRFS3306PBF. | 2136328 | INFINEON 场效应管, MOSFET, D2-PAK (EN) | 搜索 |
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 | IRFS3306PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | 查价格库存 查看详细 |
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 | IRFS3306PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，60V，160A，HEXFET，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 40 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 85 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 4520 pF V @ 50 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 230000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.004 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 160 A | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm |
