型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110TRPBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110PBF.. [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET, Power, P-Ch, VDSS -100V, RDS(ON) 1.2 Ohms, ID -1.1A, SOT-223, PD 3.1W, VGS +/-2 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
IRFL9110PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110PBF [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: P Power dissipation: 2 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRFL9110PBF [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET Transistor, P-Channel, TO-261AA
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRFL9110PB | Vishay | MOSFET,P沟道,100V,1.1A,SOT223 | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IRFL9110PBF Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
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![]() | IRFL9110PBF VISHAY | 单 P 沟道 100 V 1.2 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - SOT-223![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IRFL9110PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET P SOT-223 -100V -1.1A![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IRFL9110PBF. VISHAY SILICONIX | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRFL9110PBF 品牌: Vishay 库存编号: 541-0367 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | Vishay MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay 型号:IRFL9110PBF 仓库库存编号:171-15-216 | 搜索 | |
![]() | Vishay MOSFET P, -100 V -1.1 A 2 W SOT-223, IRFL9110PBF, Vishay 型号:IRFL9110PBF 仓库库存编号:171-15-216 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 15 ns | |
典型接通延迟时间 | 10 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 8.7 常闭 V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 200 pF V @ 25 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 3.7mm | |
封装类型 | SOT-223 | |
尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.45mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 1.1 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | P | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 6.7mm | |
高度 | 1.45mm |