IRFBC20SPBF,IRFBC20SPBF|VISHAY代理分销-IRFBC20SPBF原装现货,PDF下载

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美国1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20SPBF 库存编号:IRFBC20SPBF-ND	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK	0 1起订	1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 2000+	￥44.85 ￥29.3 ￥44.85 ￥16.7 ￥15.49 ￥14.63	6-10天询价	询价查看资料

美国2号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20STRLPBF 库存编号:844-IRFBC20STRLPBF	Vishay Intertechnologies	MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET	400 1起订	1+ 10+ 100+ 500+ 800+	￥37.11 ￥27.66 ￥21.87 ￥14.3 ￥13.83	6-10天购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTMmUE49ODQ0LUlSRkJDMjBTVFJMUEJG"],"cvcModel":["IRFBC20STRLPBF"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,10,100,500,800,"],"cvcPriceAll":["37.11,27.66,21.87,14.3,13.83,"],"maxnum":["400"],"minnum":["1"],"mytime":["6-10天"],
IRFBC20SPBF 库存编号:844-IRFBC20SPBF	Vishay Intertechnologies	MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET	0 1000起订	1000+ 2000+	￥14.66 ￥13.83	6-10天询价	询价

美国3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20SPBF 库存编号:IRFBC20SPBF	Vishay Intertechnologies	MOSFET N-CHANNEL 600V - Tape and Reel (Alt: IRFBC20SPBF)	0 1000起订	1000+ 2000+ 4000+ 6000+ 8000+	￥15.1 ￥14.85 ￥14.62 ￥14.38 ￥14.21	1-2周询价	询价

美国6号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20SPBF 库存编号:IRFBC20SPBF	Vishay Intertechnologies	MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET	0 1000起订	1000+ 2000+ 3000+ 5000+ 10000+	￥17.04 ￥16.76 ￥16.35 ￥16.07 ￥15.8	1-3周询价	询价
IRFBC20STRLPBF 库存编号:IRFBC20STRLPBF	Vishay Intertechnologies	MOSFETs TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET	0 800起订	800+ 1600+ 2400+ 4000+	￥16.76 ￥16.35 ￥16.07 ￥15.8	1-3周询价	询价

英国7号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	实时库存	起订量	实时单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20SPBF 库存编号:IRFBC20SPBF	Vishay Intertechnologies	Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 1.4A, 50W, D2PAK,TO263	24 1起订	1+ 3+ 10+ 50+ 250+	￥12.33 ￥11.15 ￥9.82 ￥8.81 ￥8.22	1-3周购买	购买 ,"cvcgetWeb":["c3JjPTIzJlBOPUlSRkJDMjBTUEJG"],"cvcModel":["IRFBC20SPBF"],"cvcBrand":[" Vishay Intertechnologies "],"cvcNumberAll":["1,3,10,50,250,"],"cvcPriceAll":["12.33,11.15,9.82,8.81,8.22,"],"maxnum":["24"],"minnum":["1"],"mytime":["1-3周"],"haveiscanbuy":["yes"],

参考价格及参考库存

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IRFBC20SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

RoHS: Compliant

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IRFBC20SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Tape and Reel (Alt: IRFBC20SPBF)

RoHS: Not Compliant

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日本3号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

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IRFBC20SPBF
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Vishay Intertechnologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

RoHS: Compliant

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新加坡1号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号

制造商

描述

操作

IRFBC20SPBF
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Vishay Intertechnologies

Single N-Channel 600 V 4.4 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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美国6号仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

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IRFBC20SPBF
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Vishay Intertechnologies

MOSFET N-Chan 600V 2.2 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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自家仓库 仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货

型号	制造商	描述	库存	起订量	参考单价 (含税)	货期 (工作日)	操作
IRFBC20SPBF	VISHAY	单通道 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - D2PAK-3	查看库存、价格及货期

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF	操作
	Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 2.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK 型号：IRFBC20SPBF 仓库库存编号：IRFBC20SPBF-ND 别名：*IRFBC20SPBF <br>	无铅	搜索

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	IRFBC20SPBF VISHAY	单通道 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - D2PAK-3	查价格库存查看详细

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	IRFBC20SPBF VISHAY	单通道 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - D2PAK-3	查价格库存查看详细
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	IRFBC20SPBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER	场效应管 MOSFET N D2-PAK 600V 2.2A	查价格库存查看详细

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	IRFBC20SPBF Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK	查价格库存查看详细

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IRFBC20SPBF
制造商型号： IRFBC20SPBF
制造商： VISHAY
描述： 单通道 N 沟道 600 V 4.4 Ohms 表面贴装功率 Mosfet - D2PAK-3
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由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

产品信息

Channel Type: N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600 V
Drain-Source On Resistance-Max: 4.4 Ω
Qg Gate Charge: 18 nC
Rated Power Dissipation: 3.1 W

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