| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF9Z34NPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB | 查看库存、价格及货期 | ||||
PDF查询| 数据列表 | IRF9Z34NPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 620pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 68W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 产品目录页面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF9Z34NPBF |
