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型号 制造商 描述 操作
IRF8010LPBF
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IRF8010LPBF N-channel MOSFET Transistor, 80 A, 100 V, 3-Pin TO-262

RoHS: Compliant

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Infineon - IRF8010LPBF - Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
制造商零件编号：
IRF8010LPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
650-4132
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IRF8010LPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF8010LPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK
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IRF8010LPBF|International RectifierIRF8010LPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 100V 80A TO-262-3
Rohs

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IRF8010LPBF|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF8010LPBF
INTERNATIONAL RECTIFIER		场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK
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IRF8010LPBF|INTERNATIONAL RECTIFIER
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF8010LPBF
制造商型号： IRF8010LPBF
制造商： INTERNATIONAL RECTIFIER
描述： 场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK
技术参考： PDF查询
库存状态： 实时库存查询  原厂原装货
备注：销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
  • 场效应管 MOSFET N 100V D2-PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 80A
  • 漏源电压, Vds: 100V
  • 在电阻RDS（??）: 15mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
  • 功耗, Pd: 260W
  • 封装类型: TO-262
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 功耗, Pd: 260W
  • 功耗, Pd: 260W
  • 封装/箱盒: TO-262
  • 总功率, Ptot: 260W
  • 漏极电流, Id 最大值: 80A
  • 漏极连续电流, Id @ 100°C: 57A
  • 漏极连续电流, Id @ 25°C: 80A
  • 热阻 Rth: 0.57
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds: 100V
  • 电压, Vds 典型值: 100V
  • 电压, Vgs 最高: 4V
  • 电流, Idm 脉冲: 320A
  • 表面安装器件: 通孔
  • 阈值电压, Vgs th 最低: 2V
  • 阈值电压, Vgs th 最高: 4V
产地： MX Mexico

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