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| IRF7706TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -30V -7A 22mOhm 48nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF7706TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -30V, -7A, 22 MOHM, 48 NC QG, TSSOP-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7706PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，7A，TSSOP8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7706PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，30V，7A，TSSOP8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 244 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2211 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4.4mm | |
| 封装类型 | TSSOP | |
| 尺寸 | 3 x 4.4 x 1mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 1510 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.022 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 7 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四源、单、三漏极 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 1mm |
