| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFETs
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| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC - Rail/Tube (Alt: IRF7493PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC (Alt: IRF7493PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, SO-8
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 80 V 15 mOhm 35 nC HEXFET? Power Mosfet - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 80V, RDS(ON) 11.5 Milliohms, ID 9.3A, SO-8, PD 2.5W, VGS +/-2 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7493PBF [更多] | International Rectifier |
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7493PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，80V，9.3A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
 | IRF7493PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，80V，9.3A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7493PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7493PBF | 1013466 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 80 V, 15 mohm, 10 V, 4 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： IRF7493PBF 品牌： Infineon 库存编号： 539-4962 | 搜索 |
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| IRF7493PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
| IRF7493PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，80V，9.3A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 30 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.3 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1510 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.015 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 9.3 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
