| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7492PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRF7492PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| IRF7492PB | International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，3.7A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7492PB International Rectifier | MOSFET，N沟道，200V，3.7A，SOIC8 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7492PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC  | 查价格库存 查看详细 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF7492PBF | 9264353 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 200 V, 79 mohm, 10 V, 2.5 V (EN) | 搜索 |
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| IRF7492PBF International Rectifier | MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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 | IR MOSFET N, 200 V 3 A 2.5 W SO-8, IRF7492PBF, IR 型号：IRF7492PBF 仓库库存编号：171-37-961 | | 搜索 |
| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 15 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 39 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1820 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.079 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
