型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRF7433TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -12V -8.9A 24mOhm 20nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF7433TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -8.9A, 24 MOHM, 20 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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IRF7433TR | International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO 型号:IRF7433TR 仓库库存编号:IRF7433TR-ND | 含铅 | 搜索 |
![]() | Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC 详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 8.9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO 型号:IRF7433TRPBF 仓库库存编号:IRF7433PBFCT-ND 别名:*IRF7433TRPBF <br>IRF7433PBFCT <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | IRF7433 |
---|---|
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 8.9A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 24 毫欧 @ 8.7A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1877pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SO |