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| IRF7433PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -12V, -8.9A, 24 MOHM, 20 NC QG, SO-8 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF7433PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，12V，8.9A，SOIC8 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF7433.PBF INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET P SO-8  | 查价格库存 查看详细 |
 | IRF7433PBF International Rectifier | MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 272 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 8.8 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC V @ 4.5 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1877 pF V @ 10 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SOIC | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 最大漏源电压 | 12 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.024 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 8.9 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单、三源 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm |
