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产品信息

• 场效应管 MOSFET N沟道
• 晶体管极性: N沟道
• 电流, Id 连续: 18A
• 漏源电压, Vds: 200V
• 在电阻RDS（上）: 180mohm
• 电压 @ Rds测量: 10V
• 功耗, Pd: 125W
• 工作温度最小值: -55°C
• 工作温度最高值: 150°C
• 封装类型: TO-220
• 针脚数: 3
• MSL: (Not Applicable)
• SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
• 封装/箱盒: TO-220
• 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
• 漏极电流, Id 最大值: 18A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
• 电压, Vds 典型值: 200V
• 电压, Vgs 最高: 20V

产地： MX Mexico

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• 型号: IRF640PBF 品牌: INTERNATIONAL RECTIFIER 备注: 场效应管 MOSFET N沟道

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