IRF640NSTRL,IRF640NSTRL|International Rectifier-IRF640NSTRL原装现货,PDF下载
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MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF640NSTRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF640NSTRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: IRF640NSTRLPBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

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MOSFET, N CH, 200V, 18A, TO-263AB-3

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Single N-Channel 200V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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Single N-Channel 200V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET? Power Mosfet - D2PAK

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 200V, RDS(ON) 0.15Ohm, ID 18A, D2Pak, PD 150W, VGS +/-20V, -55

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 18A, 150W, D2PAK, HEXFET?

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-263AB

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18 A, 200 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB

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IRF640NSTRL|International RectifierIRF640NSTRL
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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无图IRF640NSTRLHR
INTERNATIONAL RECTIFIER		D2-Pak、200 V、N 沟道 MOSFET
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IRF640NSTRLPBF|International RectifierIRF640NSTRLPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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IRF640NSTRLPBF|International RectifierIRF640NSTRLPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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IRF640NSTRLHR|INTERNATIONAL RECTIFIERIRF640NSTRLHR
INTERNATIONAL RECTIFIER		D2-Pak、200 V、N 沟道 MOSFET
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IRF640NSTRLPBF|International RectifierIRF640NSTRLPBF
International Rectifier		MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - IRF640NSTRLPBF - MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK

型号：IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号：IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名：IRF640NSTRLPBFCT <br>

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF640NSTRLPBF
INFINEON IRF640NSTRLPBF		2467995

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
IRF640NSTRLPBF
INFINEON IRF640NSTRLPBF		2467995RL

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

 (EN)		搜索
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF640NSTRLPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSTRLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRF640NSTRLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
831-2853
搜索
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参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

International Rectifier - IRF640NSTRLPBF - -55 VGS +/-20V PD 150W D2Pak ID 18A RDS(ON) 0.15Ohm VDSS 200V N-Ch MOSFET, Power|70017430 | ChuangWei Electronics		International Rectifier
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.15Ohm; ID 18A; D2Pak; PD 150W; VGS +/-20V; -55

型号：IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号：70017430

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IRF640NSTRL|International Rectifier
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IRF640NSTRL
制造商型号： IRF640NSTRL
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！
产品信息
标准包装 ： 800
系列 ： HEXFET®
FET 型 ： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 ： 标准型
漏极至源极电压(Vdss) ： 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： 18A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： 150 毫欧 @ 11A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ： 67nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： 1160pF @ 25V
功率 - 最大 ： 150W
安装类型 ： 表面贴装
封装/外壳 ： TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
供应商设备封装 ： D2PAK
包装 ： 带卷 (TR)

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