型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRF620PB | Vishay | MOSFET,N沟道,200V,5.2A,TO220AB | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IRF620PBF VISHAY | 单 N 沟道 200 V 0.8 Ohms 法兰安装 功率 Mosfet - TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IRF620PBF Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | IRF620PBF VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER | 场效应管 MOSFET N TO-220 200V 5.2A![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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| 制造商零件编号: IRF620PBF 品牌: Vishay 库存编号: 543-0052 | 搜索 |
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![]() | Vishay PCS MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 200V; RDS(ON) 0.8Ohm; ID 5.2A; TO-220AB; PD 50W; VGS +/-20V 型号:IRF620PBF 仓库库存编号:70078853 | ![]() | 搜索 |
![]() | Siliconix / Vishay MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB 型号:IRF620PBF 仓库库存编号:70459390 | ![]() | 搜索 |
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![]() | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 5.2A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB 型号:IRF620PBF 仓库库存编号:IRF620PBF-ND 别名:*IRF620PBF <br> | 无铅 | 搜索 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRF620PBF.![]() | 8648336 | VISHAY 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.2 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 V ![]() | 搜索 |
IRF620PBF![]() | 1351177 | VISHAY 场效应管, MOSFET, N沟道 ![]() | 搜索 |
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![]() | Vishay MOSFET N, 200 V 5.2 A 50 W TO-220, IRF620PBF, Vishay 型号:IRF620PBF 仓库库存编号:171-15-009 | 搜索 |
典型关断延迟时间 | 19 ns | |
典型接通延迟时间 | 7.2 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 260 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.7mm | |
封装类型 | TO-220AB | |
尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 50 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 200 V | |
最大漏源电阻值 | 0.8 Ω | |
最大连续漏极电流 | 5.2 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.41mm | |
高度 | 9.01mm |