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| IRF5804TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT PCh -40V -2.5A 198mOhm 5.7nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IRF5804TRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, P-CHANNEL, -40V, -2.5A, 198 MOHM, 5.7 NC QG, TSOP-6 RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
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| IRF5804PB | International Rectifier | MOSFET，P沟道，40V，2.5A，TSOP6 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | IRF5804PB International Rectifier | MOSFET，P沟道，40V，2.5A，TSOP6 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 100 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 19 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 680 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.5mm | |
| 封装类型 | TSOP | |
| 尺寸 | 3 x 1.5 x 0.9mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.198 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | P | |
| 配置 | 四漏极、单 | |
| 长度 | 3mm | |
| 高度 | 0.9mm |
