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IRF3709ZSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRF3709ZSTRRPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRF3709ZS | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK | 查看库存、价格及货期 |
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![]() | IR MOSFET N, 30 V 62 A 79 W D2PAK, IRF3709ZSPBF, IR 型号:IRF3709ZSPBF 仓库库存编号:171-38-902 | 搜索 |
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| 制造商零件编号: IRF3709ZSPBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-6841 | 搜索 |
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IRF3709ZSPBF![]() | 1436944 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 30 V, 6.3 mohm, 10 V, 2.25 V ![]() | 搜索 |
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![]() | International Rectifier MOSFET, N Ch., 30V, 87A, 6.3 MOHM, 17 NC QG, D2-PAK, Pb-Free 型号:IRF3709ZSPBF 仓库库存编号:70017981 | ![]() | 搜索 |
数据列表 | IRF3709Z(S,L) |
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产品相片 | TO-263 |
设计资源 | IRF3709ZL Saber Model IRF3709ZL Spice Model |
标准包装 | 50 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 87A (Tc) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 6.3 毫欧 @ 21A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2130pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 79W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRF3709ZS |