IPB60R520CP,IPB60R520CP|INFINEON-IPB60R520CP原装现货,PDF下载
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MOSFET N-Ch 600V 6.8A D2PAK-2 CoolMOS CP

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IPB60R520CP
[更多]		 Infineon Technologies AG  

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IPB60R520CP|INFINEONIPB60R520CP
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Infineon Technologies		MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263
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IPB60R520CP|Infineon TechnologiesIPB60R520CP
Infineon Technologies		MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-263
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IPB60R520CP|INFINEON
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
IPB60R520CP
制造商型号： IPB60R520CP
制造商： INFINEON
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 TO-263
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 TO-263
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 6.8A
  • 漏源电压, Vds: 650V
  • 在电阻RDS（上）: 520mohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 66W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 150°C
  • 封装类型: TO-263
  • 针脚数: 3
  • 封装/箱盒: TO-263
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 晶体管类型: 功率MOSFET
  • 漏极电流, Id 最大值: 6.8A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
  • 电压, Vds 典型值: 650V
  • 电压, Vgs 最高: 20V
  • 表面安装器件: SMD

手机网站相关详细信息：IPB60R520CP
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