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| IPB05N03LB G [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| IPB05N03LB%20G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2 型号：IPB05N03LB G 仓库库存编号：IPB05N03LBGINCT-ND 别名：IPB05N03LBG <br>IPB05N03LBGINCT <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | IPB05N03LB |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 04/Jun/2009 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 80A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 5 毫欧 @ 60A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 40µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3209pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 94W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB05N03LB G-ND IPB05N03LBGINTR IPB05N03LBGXT SP000103303 |
