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![]() | Rohm Semiconductor TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6 型号:IMB10AT110 仓库库存编号:IMB10AT110CT-ND 别名:IMB10AT110CT <br> | 无铅 | 搜索 |
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数据列表 | EMB10, UMB10N, IMB10A |
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产品相片 | SC-74, SOT-457 |
产品目录绘图 | SOT-457 Package Top |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 47k |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMB10AT110TR |