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HSG1002VE-TL-E|Renesas Electronics America
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HSG1002VE-TL-E
制造商型号: HSG1002VE-TL-E
制造商: Renesas Electronics America
描述: IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳全新原装现货
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产品信息
产品相片 4-MFP
标准包装  10,000
类别分立半导体产品
家庭RF 晶体管 (BJT)
系列-
包装  带卷 (TR)  
晶体管类型NPN
电压 - 集射极击穿(最大值)3.5V
频率 - 跃迁38GHz
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
增益8dB ~ 19.5dB
功率 - 最大值200mW
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,2V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)35mA
安装类型表面贴装
封装/外壳4-SMD,鸥翼型
供应商器件封装4-MFPAK

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