HGT1S10N120BNST,HGT1S10N120BNST|Fairchild Semiconductor代理分销-HGT1S10N120BNST原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 800 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| IGBT 类型 | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V，10A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 35A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
| 功率 - 最大值 | 298W |
| Switching Energy | 0.32mJ (开), 0.80mJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (on/off) A 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 产品目录页面 | 1610 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTTR |
