典型关断延迟时间 | 19(N 通道)ns,35(P 通道)ns | |
典型接通延迟时间 | 11(P 通道)ns,7(N 通道)ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 11 nC @ -10 V(P 沟道),5 nC @ 10 V(N 沟道) | |
典型输入电容值@Vds | 180 pF V @ 10 V(N 通道),510 pF V @ -10 V(P 通道) | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 4.4mm | |
封装类型 | SOP 8 | |
尺寸 | 5 x 4.4 x 1.5mm | |
引脚数目 | 8 | |
最大功率耗散 | 1.7 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 30(N 通道)V,-30(P 通道)V | |
最大漏源电阻值 | 147(P 通道)mΩ,150(N 通道)mΩ | |
最大连续漏极电流 | 3.5(N 通道)A,-4(P 通道)A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 2 | |
类别 | MOSFET 驱动器 | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N,P | |
配置 | 双、双漏极 | |
长度 | 5mm | |
高度 | 1.5mm |