型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
FQPF4N90C [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail - Rail/Tube (Alt: FQPF4N90C) RoHS: Compliant | 搜索 |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
FQPF4N90 | Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,900V,4A,TO220F | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F 详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.5A(Tc) 47W(Tc) TO-220F 型号:FQPF4N90 仓库库存编号:FQPF4N90-ND | 无铅 | 搜索 | |
Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F 详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 47W(Tc) TO-220F 型号:FQPF4N90C 仓库库存编号:FQPF4N90C-ND | 无铅 | 搜索 | |
Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4A 详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 47W(Tc) TO-220F 型号:FQPF4N90CT 仓库库存编号:FQPF4N90CT-ND | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
制造商零件编号: FQPF4N90C 品牌: Fairchild Semiconductor 库存编号: 671-5266 | 搜索 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FQPF4N90 Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,900V,4A,TO220F | 查价格库存 查看详细 | |
FQPF4N90C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F | 查价格库存 查看详细 | |
FQPF4N90CT Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V, 4A, NCH MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FQPF4N90C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F | 查价格库存 查看详细 | |
FQPF4N90CT Fairchild Semiconductor | MOSFET 900V, 4A, NCH MOSFET 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 | |
FQPF4N90 Fairchild Semiconductor | MOSFET,N沟道,900V,4A,TO220F | 查价格库存 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
FQPF4N90 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220F | 查价格库存 查看详细 | |
FQPF4N90C Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 4A TO-220F | 查价格库存 查看详细 |
制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
FQPF4N90C | 2453908 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 900 V, 3.5 ohm, 10 V, 5 V (EN) | 查看其他仓库 |
典型关断延迟时间 | 40 ns | |
典型接通延迟时间 | 25 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 17 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 740 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.7mm | |
封装类型 | TO-220F | |
尺寸 | 10.16 x 4.7 x 9.19mm | |
引脚数目 | 3 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 47000 mW | |
最大栅源电压 | ±30 V | |
最大漏源电压 | 900 V | |
最大漏源电阻值 | 4.2 Ω | |
最大连续漏极电流 | 4 A | |
最高工作温度 | +150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.16mm | |
高度 | 9.19mm |