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| FQD2N60CTF | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak 型号：FQD2N60CTF 仓库库存编号：FQD2N60CTF-ND | | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak 型号：FQD2N60CTF_F080 仓库库存编号：FQD2N60CTF_F080-ND | | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | FQD2N60C, FQU2N60C D-PAK Tape and Reel Data |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| PCN Design/Specification | Passivation Material 14/May/2008 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | QFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 600V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 4.7 欧姆 @ 950mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 235pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
