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| FQD19N10TM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3
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| FQD19N10TM [更多] | ON Semiconductor | MOSFET, N-CH, 100V, 15.6A, TO-252AA-3
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| FQD19N10TM [更多] | ON Semiconductor | N-Channel 100 V 0.1 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQD19N10TM [更多] | Fairchild Semiconductor Corporation |
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| FQD19N10TM [更多] | Freescale Semiconductor |
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| FQD19N10T | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，100V，15.6A，DPAK | 查看库存、价格及货期 | ||||
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| 制造商零件编号： FQD19N10TM 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-0974 | 搜索 |
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 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak 型号：FQD19N10TM 仓库库存编号：FQD19N10TMCT-ND 别名：FQD19N10TMCT <br> |  | 搜索 |
| Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15.6A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak 型号：FQD19N10TF 仓库库存编号：FQD19N10TF-ND | | 搜索 |
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 | FQD19N10T Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，100V，15.6A，DPAK 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | FQD19N10TM FAIRCHILD | FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3 | 查价格库存 查看详细 |
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| FQD19N10TM FAIRCHILD | FQD19N10 系列 100 V 0.1 Ohm 表面贴装 N 沟道 Mosfet - TO-252-3 | 查价格库存 查看详细 |
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PDF查询| 典型关断延迟时间 | 20 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 7.5 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 600 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.1 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 15.6 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.3mm |
