| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| FQA11N90C-F109 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| FQA11N90C-F109 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQA11N90C_F109 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail - Rail/Tube (Alt: FQA11N90C-F109) RoHS: Compliant | 搜索 |
| FQA11N90C_F109 [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail (Alt: FQA11N90C-F109) RoHS: Compliant | 搜索 |
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| FQA11N90C_F109 [更多] | ON Semiconductor | Transistor: N-MOSFET, unipolar, 900V, 6.9A, 300W, TO3PN, QFET?
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| FQA11N90C_F10 | Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，900V，11A，TO-3P(N) | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | FQA11N90C_F10 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，900V，11A，TO-3P(N) 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FQA11N90C_F109 FAIRCHILD | FQA11N90C 系列 900 V 1.1 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3P | 查价格库存 查看详细 |
| FQA11N90C-F109 Fairchild | 原厂原装货 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| FQA11N90C_F10 Fairchild Semiconductor | MOSFET，N沟道，900V，11A，TO-3P(N) 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
 | FQA11N90C_F109 FAIRCHILD | FQA11N90C 系列 900 V 1.1 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3P | 查价格库存 查看详细 |
| FQA11N90C_F109 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
| FQA11N90C_F109 Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | 查价格库存 查看详细 |
| 参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
 | Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P 详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P 型号：FQA11N90C_F109 仓库库存编号：FQA11N90C_F109-ND 别名：FQA11N90CF109 <br> | | 搜索 |
| 制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
FQA11N90C_F109 | 2453882 | ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 5 V (EN) | 搜索 |
| 产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号： FQA11N90C_F109 品牌： Fairchild Semiconductor 库存编号： 671-4890 | 搜索 |
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 130 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 60 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 2530 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 5mm | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 尺寸 | 15.8 x 5 x 18.9mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 300000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 900 V | |
| 最大漏源电阻值 | 1.4 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 11 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 15.8mm | |
| 高度 | 18.9mm |
