数据列表 | High-Efficiency IGBTs Overview FGA50S110P |
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标准包装 | 450 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | IGBT - 单路 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 1100V |
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.6V @ 15V,50A |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 50A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
功率 - 最大值 | 300W |
Switching Energy | 3.23mJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 195nC |
Td (on/off) A 25°C | 24ns/280ns |
Test Condition | 600V, 50A, 10 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | - |
封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-3P-3,SC-65-3 |