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FDA38N30
- FDA38N30 系列 300 V 0.085 Ohm 60 nC N 沟道 MOSFET - TO-3PN - FDA38N30
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FDA38N30
制造商型号:
FDA38N30
制造商:
FAIRCHILD
描述:
FDA38N30 系列 300 V 0.085 Ohm 60 nC N 沟道 MOSFET - TO-3PN
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
Channel Type:
N-Channel
Drain-to-Source Voltage [Vdss]:
300 V
Drain-Source On Resistance-Max:
85 mΩ
Qg Gate Charge:
60 nC
Rated Power Dissipation:
312 W
手机网站相关详细信息:
FDA38N30
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
FDA38N30
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
相关详细信息:
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询价
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*所需产品:
型号: FDA38N30 品牌: FAIRCHILD 备注: FDA38N30 系列 300 V 0.085 Ohm 60 nC N 沟道 MOSFET - TO-3PN
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sales@szcwdz.com
Q Q:
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