FCP4N6,FCP4N6|Fairchild Semiconductor-FCP4N6原装现货,PDF下载
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型号 制造商 描述 操作
FCP4N60
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ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ON Semiconductor

MOSFET 600V N-Chl MOSFET

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Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail - Rail/Tube (Alt: FCP4N60)

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FCP4N60
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ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail (Alt: FCP4N60)

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FCP4N60
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ON Semiconductor

MOSFET, N, TO-220

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FCP4N60
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ON Semiconductor

N-Channel 600 V 1.2 Ohm Flange Mount SuperFET Mosfet - TO-220

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FCP4N60
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Fairchild Semiconductor Corporation  

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FCP4N6 Fairchild Semiconductor MOSFET,N沟道,600V,3.9A,SuperFET,TO220AB 查看库存、价格及货期
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FCP4N60 - Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP4N60, 3.9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号:
FCP4N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8911
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Fairchild/ON Semiconductor - FCP4N60 - MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 3.9A(Tc) 50W(Tc) TO-220-3

型号:FCP4N60
仓库库存编号:FCP4N60-ND

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FCP4N60
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FCP4N60
1495236

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.9 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 5 V

(EN)
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FCP4N60|Fairchild SemiconductorFCP4N60
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
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无图FCP4N6
Fairchild Semiconductor
MOSFET,N沟道,600V,3.9A,SuperFET,TO220AB
Rohs

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FCP4N60|FAIRCHILDFCP4N60
FAIRCHILD
FCP4N60 系列 600 V 1.2 Ohm 通孔 N沟道 MOSFET - TO-220-3
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FCP4N60|Fairchild SemiconductorFCP4N60
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
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无图FCP4N6
Fairchild Semiconductor
MOSFET,N沟道,600V,3.9A,SuperFET,TO220AB
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FCP4N60|FAIRCHILDFCP4N60
FAIRCHILD
FCP4N60 系列 600 V 1.2 Ohm 通孔 N沟道 MOSFET - TO-220-3
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无图FCP4N60TF
Fairchild Semiconductor
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无图
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FCP4N6
制造商型号: FCP4N6
制造商: Fairchild Semiconductor
描述: MOSFET,N沟道,600V,3.9A,SuperFET,TO220AB
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息
典型关断延迟时间36 ns
典型接通延迟时间16 ns
典型栅极电荷@Vgs12.8 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds415 pF V @ 25
安装类型通孔
宽度4.83mm
封装类型TO-220
尺寸10.67 x 4.83 x 16.51mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散50 W
最大栅源电压±30 V
最大漏源电压600 V
最大漏源电阻值1.2 Ω
最大连续漏极电流3.9 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
长度10.67mm
高度16.51mm

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