数据列表 | EPC2007 |
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产品相片 | EPCxxxx |
应用说明 | Second Generation eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
产品培训模块 | Paralleling eGaN? FETs |
产品变化通告 | EPC20xx Material Change 10/Apr/2013 |
视频文件 | EPC eGaN FETs -- Another Geek Moment | DigiKey |
标准包装 | 1,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | eGaN® |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | GaNFET N 通道,氮化镓 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 6A,5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1.2mA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.1nC @ 5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 205pF @ 50V |
功率 - 最大值 | - |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 模具剖面(5 焊条) |
供应商器件封装 | 模具剖面(5 焊条) |
其它名称 | 917-1015-2 |