DMG6602SVT-7,DMG6602SVT-7|Diodes Inc代理分销-DMG6602SVT7原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | DMG6602SVT |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 3.4A，2.8A |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 60 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 400pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 1.12W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | TSOT-23-6 |
| 其它名称 | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 |
