| 型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| CSD25302Q2 库存编号:296-25444-1-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON | 0 起订 | 6-10天 | 询价 查看资料 | ||
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| CSD25302Q2 库存编号:296-25444-6-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 5A 6SON | 0 1起订 | 1+ | ￥8.6 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
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| CSD25302Q2 [更多] | Texas Instruments | MOSFET PCh NexFET Pwr MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
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| CSD25302Q2 | Texas Instruments | MOSFET PCH -20V -5A 6SON | 查看库存、价格及货期 | ||||
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 | CSD25302Q2 Texas Instruments | MOSFET PCH -20V -5A 6SON  | 查价格库存 查看详细 |
 | CSD25302Q2-BKN TI | Trans MOSFET P-CH 20V 5A 6-Pin SON T/R 暂无PDF | 查价格库存 查看详细 |
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 | Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 5A 6SON 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5A（Tc） 2.4W（Ta） 6-SON 型号：CSD25302Q2 仓库库存编号：296-25444-1-ND 别名：296-25444-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
PDF查询| 数据列表 | CSD25302Q2 |
|---|---|
| 产品相片 | CSD25302Q2 CSD-6-SON Pkg |
| 产品培训模块 | NexFET MOSFET Technology |
| 视频文件 | NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 5A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 49 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 350pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.4W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 供应商器件封装 | 6-SON |
| 产品目录页面 | 1623 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | 296-25444-2 |
