型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD25211W1015 库存编号:296-36578-6-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 373 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥8.97 ¥6.57 ¥4.58 ¥3.57 ¥3.22 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
CSD25211W1015 库存编号:296-36578-1-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 373 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ | ¥8.97 ¥6.57 ¥4.58 ¥3.57 ¥3.22 | 6-10天 | 购买 查看资料 |
CSD25211W1015 库存编号:296-36578-2-ND | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 0 3000起订 | 3000+ 6000+ 9000+ 15000+ 21000+ 30000+ | ¥2.36 ¥2.16 ¥2.01 ¥1.95 ¥1.89 ¥1.83 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD25211W1015 库存编号:595-CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFETs PCh NexFET Power MOS FET | 3633 1起订 | 1+ 10+ 100+ 500+ 1000+ 3000+ 6000+ 9000+ | ¥8.16 ¥5.94 ¥4.14 ¥3.47 ¥3.12 ¥2.25 ¥2 ¥1.81 | 6-10天 | 购买 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | MOSFET PCh NexFET Power MOSFET RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET P-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R (Alt: CSD25211W1015) RoHS: Compliant | 搜索 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R - Tape and Reel (Alt: CSD25211W1015) RoHS: Compliant | 搜索 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments | Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-Pin DSBGA T/R (Alt: CSD25211W1015) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
CSD25211W1015 [更多] | Texas Instruments |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
CSD25211W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 | 操作 |
![]() | CSD25211W1015 Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA![]() ![]() | 查价格库存 查看详细 |
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![]() | Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA 详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5) 型号:CSD25211W1015 仓库库存编号:296-36578-1-ND 别名:296-36578-1 <br> | 无铅 | 搜索 |
数据列表 | CSD25211W1015 |
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产品相片 | YZC-6-BGA Pkg |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | NexFET™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 33 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.1nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 570pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UFBGA,DSBGA |
供应商器件封装 | 6-DSBGA(1x1.5) |