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产品信息

• 场效应管 MOSFET N TO-3
• 晶体管极性: N沟道
• 电流, Id 连续: 16A
• ???源电压, Vds: 160V
• 在电阻RDS（上）: 750mohm
• 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
• 功耗, Pd: 250W
• 封装类型: TO-3
• 针脚数: 2
• SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
• 器件标记: BUZ900D
• 封装/箱盒: TO-3
• 晶体管数: 1
• 温度 @ 电流测量: 25°C
• 满功率温度: 25°C
• 漏极电流, Id 最大值: 16A
• 电压, Vds 典型值: 160V
• 电压, Vgs 最高: 14V
• 表面安装器件: 通孔

产地： GB United Kingdom

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• 型号: BUZ900D 品牌: SEMELAB 备注: 场效应管 MOSFET N TO-3

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