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BUK9Y53-100B
- 场效应管 MOSFET N沟道 100V 23A SOT669 - BUK9Y53100B
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BUK9Y53-100B
制造商型号:
BUK9Y53-100B
制造商:
NXP
描述:
场效应管 MOSFET N沟道 100V 23A SOT669
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
产品信息
场效应管 MOSFET N沟道 100V 23A SOT669
晶体管极性: N沟道
电流, Id 连续: 23A
漏源电压, Vds: 100V
在电阻RDS(上): 49mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 1.5V
功耗, Pd: 75W
工作温度最小值: -55°C
工作温度最高值: 175°C
封装类型: SOT-669
针脚数: 4
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
封装/箱盒: SOT-669
工作温度范围: -55°C 至 +175°C
晶体管类型: 增强
漏极电流, Id 最大值: 23A
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 100V
电压, Vgs 最高: 15V
表面安装器件: SMD
手机网站相关详细信息:
BUK9Y53-100B
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
BUK9Y53-100B
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: BUK9Y53-100B 品牌: NXP 备注: 场效应管 MOSFET N沟道 100V 23A SOT669
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