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| BSS315P L6327 [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET P-Ch -30V 1.5A SOT-23-3 RoHS: Compliant | 搜索 |
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| BSS315P%20L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT-23 | 查看库存、价格及货期 | ||||
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PDF查询| 数据列表 | BSS315P |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 25/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 150 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 11µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 2.3nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 282pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
| 其它名称 | BSS315P L6327-ND BSS315P L6327TR SP000442440 |
