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Infineon Technologies AG

MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23

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BSS315PH6327XTSA1
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BSS315P H6327
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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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BSS315PH6327XTSA1
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Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: BSS315PH6327XTSA1)

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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

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MOSFET, P CH, -30V, -1.5A, SOT-23-3

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Infineon Technologies AG

Single P-Channel 30 V 150 mOhm 2.3 nC OptiMOS? Power Mosfet -SOT-23

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Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -30V, -1.5A, 0.5W, PG-SOT23

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MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
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Infineon Technologies
MOSFET OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor
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BSS315P H6327|Infineon Technologies
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BSS315P H6327
制造商型号: BSS315P H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23
技术参考: Rohs PDF查询
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产品信息
数据列表 BSS315P
产品相片 SOT-23-3
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)150 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 11µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)2.3nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)282pF @ 15V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装PG-SOT23-3
其它名称BSS315P H6327-ND
BSS315PH6327
BSS315PH6327XTSA1
SP000928946

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