典型功率增益 | 16.5 dB | |
典型输入电容值@Vds | 225 pF V @ 28 | |
安装类型 | 螺丝 | |
宽度 | 12.86mm | |
封装类型 | CDFM | |
尺寸 | 24.89 x 12.86 x 7.39mm | |
引脚数目 | 6 | |
最低工作温度 | -65 °C | |
最大功率耗散 | 130 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 65 V | |
最大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
最大连续漏极电流 | 13 A | |
最高工作温度 | +200 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 射频 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 四源、单 | |
长度 | 24.89mm | |
高度 | 7.39mm |