典型关断延迟时间 | 53 ns | |
典型接通延迟时间 | 18 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 90 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 3550 pF V @ 50 | |
安装类型 | 表面贴装 | |
宽度 | 11.3mm | |
封装类型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 11.3 x 4.83mm | |
引脚数目 | 4 | |
最低工作温度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 190 W | |
最大栅源电压 | ±20 V | |
最大漏源电压 | 100 V | |
最大漏源电阻值 | 14 mΩ | |
最大连续漏极电流 | 73 A | |
最高工作温度 | +175 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 双漏极、单 | |
长度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |