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Infineon - AUIRFS4010 - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号:
AUIRFS4010
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9180
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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 操作

Infineon Technologies - AUIRFS4010 - MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK

型号:AUIRFS4010
仓库库存编号:AUIRFS4010-ND
别名:SP001522400 <br>

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Infineon Technologies - AUIRFS4010-7P - MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P

详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)

型号:AUIRFS4010-7P
仓库库存编号:AUIRFS4010-7P-ND
别名:AUIRFS40107P <br>SP001516602 <br>

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AUIRFS4010|International Rectifier
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
AUIRFS4010
制造商型号: AUIRFS4010
制造商: International Rectifier
描述: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
技术参考: Rohs PDF查询
库存状态: 实时库存查询  深圳原厂原装现货
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产品信息
数据列表 AUIRFS/SL4010
产品培训模块 High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列HEXFET®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)180A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)4.7 毫欧 @ 106A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)215nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9575pF @ 50V
功率 - 最大值375W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装D²PAK

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